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給大家介紹等離子堆焊機

[ 來源:http://www.805402.live/   作者:閥門堆焊機廠家  修改時間:2019/9/26 16:01:04  瀏覽次數:320]
 

  等離子堆焊機合金由于具有高耐磨、高耐腐蝕、耐高溫、抗輻射等本征特性,而受到廣泛關注。與普通氮化硅材料相比,氮化硅納米線特殊的幾何結構使其具有了獨特的物理、化學性質,等離子堆焊機合金是一種優良的“結構-功能一體化”寬禁帶半導體材料。但是,目前關于氮化硅納米線材料還存在產率低、純度低、難摻雜、發光強度低、發光性能難以調控等問題,制約了氮化硅納米線材料的實際應用。

  當采用液氮作球磨介質時,在納米晶硅粉表面形成Si-N鍵,可有效阻止納米晶硅粉氧化。氮化硅納米線尺度均勻,直徑約為25nm。等離子堆焊機合金單晶氮化硅納米線的禁帶寬度為5.0eV,發射光譜波長范圍為350~650nm,存在五個發光峰,位于586nm和542nm的發光峰是由硅懸掛鍵與Si-Si鍵/價帶之間的電子躍遷造成的,447nm的發光峰是由硅懸掛鍵與導帶之間的電子躍遷造成,405nm和393nm的發光峰是由N4+與價帶之間的電子躍遷造成。

  以單晶氮化硅納米線的合成制備、可控摻雜以及光致發光性能的調控為研究目標,以價層電子結構作為摻雜元素的選擇依據,采用低溫球磨及高溫氮化的制備新技術,系統研究摻雜元素(不同價層電子結構的元素)、摻雜元素含量對等離子堆焊機合金性能的影響,實現氮化硅納米線發光性能的調控與優化,并采用第一性原理計算氮化硅納米線的能帶結構,結合等離子堆焊機合金機理。以高純硅粉為原料,采用低溫球磨及氮化合成工藝,實現了高純、單晶氮化硅納米線的制備,為后續制備摻雜可控單晶氮化硅納米線奠定了良好的基礎,并研究了單晶氮化硅納米線的光致發光性能。

 
 
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